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141.
Bijian Lan Chunming Liu Xiang Yin Hua Zhang Wei Xu Zhongyi Hua 《Frontiers of Chemistry in China》2006,1(3):296-299
Organic materials of D-π-A type MR-X (MR-1: p-dimethylaminophenylethenetrica-rbonitrile and MR-2: p-diphenylaminophenylethene tricarbonitrile) were designed and synthesized. The device with a sandwich structure shows good
rectificative phenomena. The highest rectification ratio 10000 was achieved in device Cu/MR-1/Ag, and about 100 in other device
M/MR-X/M (M: Cu, Ag). It has been found that rectificative phenomena exist only in the atmosphere-liquid interface region
by means of liquid adsorption, and electric field could help form the oriented molecular film.
__________
Translated from Journal of Fudan University (Natural Science), 2005, 44(4) (in Chinese) 相似文献
142.
143.
本文对一类带等式的非光滑最优化问题给出了一种逐次二次规划方法。这类问题的目标函数是非光滑合成函数,约束函数是非线性光滑函数。该方法通过逐次解二阶规划寻找搜索方向,使用l1-罚函数的非精确线搜索得到新的迭代点。我们证明了算法的全局收敛性并给出了数值试验结果。 相似文献
144.
关于一类二次哈密尔顿系统在二次扰动下的极限环个数问题 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了一类具有两个鞍点和一个中心的通用二次哈密尔顿向量场在二次扰动下的三参数开折,证明极限环的最小上界为2。 相似文献
145.
提出用溶胶粒子表面修饰方法,结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜.该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用,经溶胶凝胶过程,将活性组分结合到无机膜中.实验测定结果表明:(NiEDTA)2-,VO-3,MoO2-4,(Pd(NH3)4)2+,PdCl2-4,PtCl2-6和RhCl3-6可用来修饰AlOOH溶胶.以Pd/γAl2O3催化膜的制备为例,经三次溶胶凝胶过程,可制得无裂缺的厚度为9μm的Pd/γAl2O3催化膜,膜材料的平均孔直径为6nm,Pd被均匀地分布在膜的顶层,其平均粒径为23nm. 相似文献
146.
147.
148.
Ma Jiangle Yang Hong-shen Zhang Zhongxi Lu Zhong-zuo 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》1993,14(5):1069-1076
A simple method is introduced to improve the analysing accuracy of circular groove guide. With this method, the characteristic equation of circular groove guide is derived and its solution is given and discussed.The Project Supported by National Natural Science Foundation of P.R.China 相似文献
149.
以MgO:LiNbO3为非线性光学介质,通过采用一种高性能腔反射镜实现了一种85mm短腔长的法布里-珀罗式的光学参量振荡器,产生THz电磁波的实验结果.这种短腔长THz参量振荡器比传统的160mm腔长的振荡阈值降低了22.3%;峰值能量提高了170%;频率调谐范围从0.5—2.4THz提高到0.8—3.1THz.还报道了一种基于平面金属丝网的法布里-珀罗干涉仪测量THz波线宽的实验结果.
关键词:
THz电磁波
OPO
非线性光学
3')" href="#">LiNbO3 相似文献
150.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献